臺積電近日宣布其65nm低功耗生產工藝已經完全成熟，臺積電將全面進入65nm新時代。 臺積電CEO兼總裁蔡力行表示，憑借先進的300mm晶圓，臺積電的生產工廠可迅速滿足來自各個市場的客戶對新工藝的大批量需求。在此之前，臺積電已經試驗性地批量供應了一些65nm產品。
臺積電指出，目前已有大約2000個客戶正在準備采用65nm新工藝，其中很多都處于設計或采樣階段，而顯示核心和基帶IC仍將是新工藝最重要的用武之地。
臺積電65nm NexsysSM技術是該公司第三代使用銅互連和low-k電介質的半導體生產工藝，共有9個金屬層，核心電壓1.0V或1.2V，I/O電壓1.8V、2.5V或3.3V，門陣列密度是90nm NexsysSM技術的兩倍。
（第三媒體 2006－05－19）