Intel High-K 技術示意圖
眾所周知，2006年初，英特爾表示他們將進入45nm制程的研究，而在08年之后，他們還會引入一個全新的微架構——Penryn的繼任Nehalem處理器。據悉，日前英特爾高層Mark Bohr、副總裁Steve Smith披露了下一代45nm處理器Penryn家族的一些特性。
據介紹，英特爾稱下一代Penryn雙核心處理器將集成4.1億晶體管，而四核心處理器集成的晶體管則是8.2億。而目前的酷睿2雙核處理器2.98億的晶體管。英特爾去年發布的45nm SRAM芯片共集成了10億多的晶體管，芯片面積只有為119平方毫米。最先一批Penryn四核心處理器也將采用2個雙核心處理器集成在一起的方式，因此總共將包含8.2億個晶體管。制程的進步、核心面積的縮減將允許工程師實現更高的時鐘頻率，不過英特爾的另一個選擇可以在同樣的核心面積上集成更多的晶體管。 當前的酷睿2桌面處理器集成了額外的SSE指令集，但是在2006年的秋季IDF大會上，英特爾宣布SSE4將只為Nehalem核心準備。英特爾的Penryn手冊中寫道Penryn將具有“Intel SSE4指令集擴展功能，并且會改進多媒體與高性能計算應用程序的表現”
據副總裁Steve Smith表示，大多數增加的晶體管將用于實現更多的緩存；而對于SSE4指令集在penryn上的表現則稱：“我們已經看到新的指令集可以在多媒體應用中實現2位數（百分比）的性能提升。”Penryn仍將采用LGA 775接口，這意味著當前的主板也在理論上也可以直接安裝最新的處理器，但是在供電方面目前的主板卻無法支持新CPU。“主板廠商必須對它們的產品進行一些細微的調整一邊支持未來的Penryn。我們無法保證人們可以直接將Penryn插在當前的主板上而不發生任何隨壞。”但是上周實施的Penryn系統啟動試驗取得的很大成功，許多當前未作修改的硬件設備都可以順利啟動到操作系統下,這些設備包括筆記本電腦、幾塊桌面PC主板和幾塊服務器主板。Smith表示“在2008年，我們將見到全新的Nehalem”。
據英特爾的創始人之一，摩爾定律的發明者戈登·摩爾表示，“新技術的采用會為晶體管技術帶來自1960年代引入polysilicongate MOS晶體管技術以來最巨大的變革。”而在半導體制作的光刻技術上，Penryn則遠遠沒有從65nm到45nm這樣簡單，它將運用最新的P1266技術。英特爾在Penryn上將采用高介電薄膜（High-K Dielectrics）和金屬門集成電路。當前使用的多晶硅門（Polysilicon Gate）將被一個金屬層代替，而基座與晶體管之間的二氧化硅層也將被一個高介電薄膜所取代。英特爾采用高K技術和金屬門晶體管可能比制程的提升更為有效。
據英特爾的手冊中指出，運用高K技術和金屬門晶體管可以將電流提升20%，這反映到性能上也就是約20%的性能提升。與當前的酷睿2桌面處理器相比，采用新技術的Penryn處理器在源極漏極的電流泄露將減少5倍，而介電薄膜的電流泄漏將減少10倍。到32nm制程下，英特爾的印刷技術將采用P1268版本。但英特爾還表示將進一步采用22nm技術，也就是P1270版本，采用22nm技術的產品將在2011年實現量產。
（第三媒體 2007－01－29）