全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 與英飛凌科技股份有限公司 (Infineon Technologies) 共同宣布,后者將獲授權使用IR的DirectFET先進功率管理封裝專利技術。
DirectFET 功率封裝是業界首個在SO-8或更小占位面積,提供高效上部散熱的表面貼裝功率MOSFET封裝技術,適用于計算機、筆記本電腦、電信和消費電子設備的AC-DC及DC-DC功率轉換應用。與標準塑料分立封裝相比,DirectFET的金屬罐構造具有雙面散熱功能,因而可有效將高頻DC-DC降壓式轉換器的電流處理能力增加一倍。
英飛凌將把DirectFET功率封裝技術應用于旗下的OptiMOS 2和OptiMOS 3芯片技術,預計在2008年初開始提供DirectFET封裝的OptiMOS 2樣品。
IR企業功率業務部副總裁Tim Phillips表示:“由于采用了獨特的雙面散熱設計,IR的DirectFET封裝技術可以降低能量損耗,減小設計占位面積,是先進計算、消費及通信應用首選的解決方案。”
他還表示:“我們不斷為節省能源開發尖端技術,并通過授權協議擴大 DirectFET這類創新技術在節能方面的影響力,進一步擴展我們在功率管理市場最主要領域的業務。”
英飛凌科技功率管理及驅動器業務部高級副總裁兼總經理Arunjai Mittal表示:“根據這項協議,英飛凌將繼續擴充旗下的功率半導體產品系列。把我們成功的OptiMOS芯片技術與不同封裝規格相結合,以適應廣泛的應用,使電源設計師可以為特定應用采用節能的、有成本效益的解決方案。OptiMOS 2和OptiMOS 3器件本身具有卓越的特性,現在加上具有雙面散熱能力的封裝,將進一步鞏固英飛凌在功率轉換市場的地位。”
(新聞稿 2007-09-28)