據有關消息報道，英特爾公司對外宣布，其在硅光電子學領域取得了又一項重大的技術突破，這項突破可以基于硅的雪崩光電探測器(Silicon-based Avalanche Photodetector)實現了創世界紀錄的高性能，與目前市場上的同類器件相比可大幅度降低成本并提高性能。英特爾稱，此次在硅光電子學上取得的重大技術突破是繼英特爾實現快速硅調制器和混合硅激光器等技術后的又一項重大進展。這項技術可在寬帶、萬億次計算、傳感與安全領域有潛在的應用。
英特爾企業技術事業部電子技術研究室高級研究員亢宜敏博士向媒體介紹，特爾研究人員領導的團隊成功研制出的硅基雪崩光電探測器，通過探測微弱光信號并將其放大而擁有卓越的靈敏度。這款雪崩光電探測器使用硅和CMOS工藝實現了有史以來最高的340 GHz“增益-帶寬積”。這為降低40Gpbs或更高數據傳輸速度的光學鏈路的成本開啟了大門，同時也第一次證明了硅光電子元器件的性能可以超過現有的使用磷化銦(InP)等更昂貴傳統材料制造的光電子元器件的性能。英特爾研究人員實現的增益帶寬積達到的340GHz打破了記錄，具有明顯的成本優勢，這再次證明了Si基材料可以用于制備性能優越、價格低廉的光電子器件，并顯示出Si基光子學所蘊涵的巨大應用潛力和廣闊的發展空間。英特爾的此項研究由美國國防部高級研究項目署（DARPA）資助，英特爾與意法半導體合資的閃存企業Numonyx提供制造工藝。參與研究的還包括光電子領域的學術專家，如弗吉尼亞大學Joe Campbell教授，加州大學圣巴巴拉分校John Bowers教授等。
（第三媒體 2008-12-15）