據有關消息報道，臺積電研發副總裁Jack Sun在日本舉行的一次研討會上宣布，28nm低功耗生產技術已經研發成功，將在2010年初作為全代(full node)工藝為客戶提供代工服務，并可選高性能和低功耗兩種應用類別。臺積電表示，借助雙/三柵極氧化物技術，32nm工藝階段的硅氧氮化物(SiON)/多晶硅(poly Si)材料得以在28nm工藝上繼續使用。
臺積電稱，28nm 64Mb SRAM晶圓也已經獲得足夠好的良品率，每個單元的面積只有0.127平方微米，原始柵極密度已達每平方毫米390萬個。與45nm工藝相比，28nm工藝中使用的低待機、低運行功耗氮硅氧化物能帶來最多25-40％的速度提升，同時功耗降低30-50％。
（第三媒體 2009-06-19）