據有關消息報道，Intel公布了即將發布的八核心Nehalem-EX Xeon服務器處理器的一些初期資料，又特地通過技術博客探討了其中的24MB超大三級緩存技術。上代架構的六核心Dunnington Xeon 7400已經擴充到了12/16MB三級緩存，而同樣基于Nehalem架構、定位雙路和單路市場的Xeon 5500/3500系列只有8MB。八核心Nehalem-EX處理器定于今年下半年正式發布，可能定名Xeon 7500系列，取代六核心Dunnington Xeon 7400系列。
Intel表示，Nehalem-EX Xeon的24MB三級緩存采用24路集聯、8端口方式運行，由45nm HKMG工藝結合9層銅互聯制造而成，存儲單元面積0.3816平方微米，在電源管理和功耗控制方面的主要技術有：使用休眠晶體管(Sleep Transistor)，最大程度地控制漏電功耗，新增關閉選項，用于消除已禁用部分緩存的漏電，更完善的時鐘門控，降低動態功耗，緩存獨立供電，使之運行在最低工作電壓上，在滿足目標頻率的同時讓功耗最小化，SRAM單元在關閉期間電壓最低只需0.36V，可減少大約83％的漏電功耗，其他一系列冗余舉措，確保處理器的可制造性。Intel稱，正是因為以高密度、低功耗、設計重用性為目標，并采用了這一系列優化技術，才得以實現超大容量的三級緩存，既確保了高性能，又實現了高能效。
（第三媒體 2009-07-22）