據有關消息報道，全球第一大半導體代工廠臺積電已經完全取消了下一代32nm工藝，不過臺積電在今年八月底就已經在全球首家成功使用28nm工藝試制了64Mb SRAM單元，并在三種不同工藝版本上實現了相同的良品率。如果這樣，臺積電取消32nm就是要跨過這一階段，直接實現28nm工藝。
按照規劃，臺積電將在明年前三個季度分別開始試產28nm高性能高K金屬柵極(28HP)、28nm低功耗高K金屬柵極(28HPL)和28nm低功耗氮氧化硅(28LP)三種新工藝，這樣就根本沒有32nm工藝的空間了，但是根據臺積電此前的說法，在32nm工藝階段研發中取得的很多成果都會用于28nm，比如硅氧氮化物(SiON)/多晶硅(poly Si)材料。另一方面，業界客戶對32nm工藝的需求并不高，但整個半導體行業對全代工藝28nm的熱情卻相當高漲，既有臺積電，也有IBM技術聯盟、東芝和NEC等，只有Intel準備獨自跨越到22nm，不過那是為其處理器產品準備的。
（第三媒體 2009-11-25）