據有關消息報道，Intel準備繼續提高緩存密度，而且有意使用新的緩存類型。Intel已經成功制造了22nm新工藝FBC存儲器，而且使用的是非常適合大批量生產的Bulk晶圓，相比此前試驗使用的SOI晶圓在成本上低廉很多。
Intel將在2010年度超大規模集成電路技術研討會上介紹他們在處理器緩存技術上的最新研究成果，特別是有望取代現有SRAM的“浮體單元”(Floating Body Cell/FBC)。SRAM和eSRAM是目前最常用的兩種嵌入式內存，其中前者有六個晶體管，體積較大，但速度非常快，制造難度也很低，而后者每個單元只有一個晶體管和電容器，體積小了，速度卻也慢了，制造也很困難。FBC就是集這兩種技術之長于一身，每單元僅有一個晶體管，比SRAM輕巧很多，同時速度又比eSRAM更快，制造也相對簡單。
（第三媒體 2010-06-21）