據相關消息：日前，東芝公司在美國舉行的IEDM半導體技術會議上宣布，東芝成為業界首家能夠投入實際生產20nm級CMOS工藝的廠商，將使用體硅CMOS工藝制造下一代超大規模集成電路設備。
據介紹，東芝通過對晶體管溝道的摻雜材料進行改善實現的新工藝，這種工藝在性能上比傳統溝道結構提升了15%到18%。
據介紹，在傳統工藝中，由于電子活動性降低，通常認為體硅（Bulk）CMOS在20nm級制程下已經很難實現，但東芝在溝道構造中使用了三層材料獲得了新突破，三層材料最頂層為外延硅，中間硅層摻雜碳，底層則摻雜硼（nMOS）或砷（pMOS），成功實現了20nm級的體硅CMOS。
(第三媒體 2009－12－09)