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解剖Rambus DRAM內存（5） |
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作者：第三媒體
來源：www.TheThirdMedia.com
日期：2000-03-24
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[摘要]
在前一講，我們提到RDRAM的巨大發熱量的問題，其實這個問題的根源也正好就是RDRAM的優勢——高工作頻率！也就是說，RDRAM的高工作頻率既是RDRAM高性能的創造者，也是RDRAM高發熱量的罪魁禍首... |
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[正文]
在前一講，我們提到RDRAM的巨大發熱量的問題，其實這個問題的根源也正好就是RDRAM的優勢——高工作頻率！也就是說，RDRAM的高工作頻率既是RDRAM高性能的創造者，也是RDRAM高發熱量的罪魁禍首。本講內容我們將討論RDRAM的生產檢測問題。
7、放棄檢測
RDRAM正如前文所述，RDRAM復雜度遠遠超過SDRAM，同時，RDRAM的這種結構復雜性產生的問題也進入了RDRAM的硅工藝生產中。對于同樣的蝕刻工藝，一片典型的RDRAM要比SDRAM的沖模尺寸大20%，既然尺寸與復雜度都上升，RDRAM的產量與成品合格率也就下降了；同時，隨著芯片的設計工作頻率的提高，產品的合格率也會相應下降。糟糕的是，RDRAM不但沖模尺寸比SDRAM大，復雜性也更高，而且工作頻率也比SDRAM快，因此RDRAM的產量就嚴重下降了。
檢測RDRAM是非常棘手的，因為這種RDRAM一般使用micro-BGA封裝，而且還有全速運行的苛刻的熱條件；并且，測試一片全速運行的RDRAM芯片也是不現實的，只有多個芯片組裝成完整的RIMM后才能解決這個問題。顯然，這種檢測困難也嚴重影響了產量，并且一片RDRAM芯片壞了也可能導致整個RIMM被廢棄。（Puma譯 3-27）
Puma注：Intel為了促使各內存芯片大廠生產RDRAM，曾給予他們數千萬美圓的好處，但是各內存芯片廠還是積極性不高，究其原因，主要就是前述的RDRAM的固有問題導致RDRAM的成品率低，生產產量低，生產成本高，因此各廠商無不怨聲載道。（Puma 3-27）
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