據報道,一家新興的科技公司Innovative Silicon,將現有嵌入式DRAM內存密度提高2倍,處理器緩存所用的SRAM內存密度可以提高5倍,同時無需特殊材料或額外的生產步驟,AMD方面宣稱Innovative Silicon提供的數據證明這種技術非常有前途。
不過AMD方面仍然需要保證新技術能在自己的產品中工作良好。如果測試結果表現良好,AMD方面將會在德國德累斯頓的Fab 30、Fab 36工廠90nm工藝和65nm工藝中使用新的緩存技術,但AMD沒有透露何時會將新技術投入實用。
(第三媒體 2006-01-25)