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三星內存: 128Gb!三星開發垂直方向堆疊單元閃存 |
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作者:第三媒體
來源:www.TheThirdMedia.com
日期:2006-12-15
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[摘要]
日經BP社報道,韓國三星電子開發出了沿垂直方向堆疊存儲單元的NAND閃存技術。和現有多芯片封裝技術(MCP)將分別生產的芯片在封裝時堆疊不同,該技術在制造時便在一枚芯片上垂直堆疊2個存儲單元。 |
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[正文]
日經BP社報道,韓國三星電子開發出了沿垂直方向堆疊存儲單元的NAND閃存技術。和現有多芯片封裝技術(MCP)將分別生產的芯片在封裝時堆疊不同,該技術在制造時便在一枚芯片上垂直堆疊2個存儲單元。目的是在不增大芯片面積的條件下,將存儲容量翻倍,預計將使用于容量在128Gb的甚至更高的NAND閃存生產商。
三星表示,在只利用平面技術生產128Gb產品時,就算采用每個單元存儲2bit的多值技術和電荷捕獲技術,也很難將成本降到64Gb的水平。垂直堆疊技術的引入就是為了在開發大容量閃存時繼續降低成本。
此次開發的技術,在堆疊的存儲單元下層仍利用現有NAND閃存制造方法安置硅底板上。然后是絕緣膜,以及用化學機械拋光(CMP)技術處理的單晶薄膜,最后在在單晶薄膜上安置上層單元。在單晶薄膜上制造存儲單元的手法同三星此前公布過的S3 SRAM生產技術相同。
三星的這項技術現在已經能夠完成寫入、擦除和讀取等一系列操作,而且所堆疊的上下兩層單元的性能并沒有顯著的差別,在可擦寫次數上也非常類似。使用該技術的芯片將采用63nm制程制造。 (2006-12-15)
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