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Hynix顯存: 韓國Hynix半導體發布60nm DDR2-800內存 |
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作者:第三媒體
來源:www.TheThirdMedia.com
日期:2006-12-19
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[摘要]
韓國Hynix半導體今天宣布推出基于60nm 1Gbit DDR2 DRAM芯片的系列高容量內存模組。這種新內存適用于高密度DRAM組件和高性能產品,諸如圖形和移動DRAM。Hynix表示將在明年上半年進行商業量產。 |
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[正文]
韓國Hynix半導體今天宣布推出基于60nm 1Gbit DDR2 DRAM芯片的系列高容量內存模組。這種新內存適用于高密度DRAM組件和高性能產品,諸如圖形和移動DRAM。Hynix表示將在明年上半年進行商業量產。
1GB和2GB UDIMMs工作頻率在800MHz,并且通過Intel認證。Hynix強調,和第一代80nm技術相比,在60nm制程大規模部署之后,1Gbit DRAM的生產成本預期將降低50%。
1Gbit封裝尺寸的結果,將讓Hynix可以低成本生產4GB或者以上容量的RDIMM、FB-DIMM。雙列小封裝尺寸將免除在模組上堆疊部件的要求,以進一步降低生產成本。小封裝尺寸也可以生產出VLP模組。 (2006-12-19)
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