Freescale半導體今天宣布MRAM投入商業應用。MRAM全稱是magnetoresistive random-access memory (MRAM，抗磁電隨機存取內存)。MRAM內存可以在斷電情況下，繼續保持數據，和閃存類似，但是MRAM內存的數據讀寫速度遠遠高于閃存，同時MRAM也不會像閃存那樣出現時間退化問題。閃存在10萬到1百萬次讀寫之后就會出數據完整性喪失的問題。
MRAM設備可以以200MB/s的速度進行數據的讀寫。作為對比，三星新發布的2Gb 60nm OneNand芯片數據讀取速度是108MB/s，數據寫入速度是17MB/s。
MRAM可以作為通用內存使用在諸如PC、手機、音樂播放器、照相機乃至廚房設備、轎車和飛機的計算部件當中。這是近10年當中最重要的內存。目前廠商都在研發MRAM，但是還沒有廠商宣布大規模量產。
諸如東芝、NEC和IBM等公司都已經宣布持續研發MRAM或者在MRAM研發上有重大突破，但是還沒有公司像Freescale那樣宣布量產，Freescale是第一家宣布MRAM商業化量產的廠商。Freescale2個月之前已經開始在美國亞利桑那州的芯片工廠量產4Mb MRAM芯片，這個公司是從摩托羅拉當中分離出來的公司。
（2006－07－11）