英飛凌借PCIM舞臺展示創新電源管理和供應解決方案

   （新聞稿易為公關公司提供）屢獲獎項的CoolMOS和IGBT產品為中國電子行業帶來功能先進且經濟有效的技術
   英飛凌科技公司（FSE/NYSE代號：IFX）參加了3月12日到14日在上海新國際博覽中心舉行的PCIM China博覽會。這家全球位居第六的德國半導體廠商展示了傳動裝置電力電子設備以及消費電子設備、汽車和工業用途電源管理和供應領域的先進技術和解決方案。
   “英飛凌參加PCIM China 2003博覽會表明本公司致力于在中國市場發展，”英飛凌亞太區營銷、汽車和工業部副總裁Andrew Chong先生說道，“我們堅信我們的技術創新和杰出的性價比將給本地廠商帶來靈活性和成本效益，這正是他們面臨全球競爭時增強自身競爭力所需的。”
   IMS Research 2002年發表的中國電源市場報告表明，中國信息技術以及其他工業設備制造業的迅速發展可為2002到2003年中國電力電子元件市場12%的強勁增長預測提供支持。
   如今，電力半導體產品只占世界電力業12%的份額。功耗的增加以及通信和信息技術領域對清潔、可靠電力需求的增長要求電源管理和供電組件和解決方案的尺寸更小、性能更高，同時符合環保要求。
除了一整套功能先進、經濟有效的半導體產品之外，英飛凌還為中國電子設備廠商帶來了全面的傳動裝置和電源管理解決方案并進行技術分享。
   2001年，英飛凌成為有史以來第一家榮獲“德國工業創新獎－最佳技術創新獎”的半導體公司，這也使其在半導體領域的技術領袖地位得到公認。獲獎的兩款創新電力半導體產品分別是：高壓MOSFET（CoolMOS）以及絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。
   英飛凌的CoolMOS半導體產品可為電源帶來全新的系統途徑，比如用在PC、便攜式計算機以及移動應用電池充電器里的電源。英飛凌的IGBT產品家族可為家用電器、空調系統和工業應用中使用的電動機傳動裝置創造新概念。這些獲獎電力半導體產品可精確、可靠地調節傳輸至電氣產品的能量。CoolMOS的導通電阻（RdsON）低，可大幅降低功耗。采用這種電力半導體的家用電器可使能量消耗降低30%。
   英飛凌另外一項領先技術是碳化硅肖特基二極管（SiC Schottky Diode）。這種二極管利用新型半導體材料制成，是速度最快的高壓肖特基二極管，而且不發生恢復，是300-600V領域的行業標準。
   英飛凌是世界上第一家可提供300-600V 肖特基二極管的電力半導體產品制造商，該產品以碳化硅（SiC）技術為基礎。與采用硅或砷化鎵技術的傳統功率二極管相比， SiC肖特基二極管可大幅降低開關損耗并提高開關頻率，同時可帶來比采用硅技術的肖特基二極管高得多的操作電壓范圍。
   利用新的SiC肖特基二極管，可在比如PC、服務器以及移動電話基站等系統里采用可靠、緊湊并且開關頻率高的開關模式電源（SMPS）。由于開關損耗低，因此這些二極管可在高開關頻率下操作，而無需復雜的共振式開關電路或緩沖器。低開關損耗同樣使SMPS無需使用散熱片和風扇。（新聞稿易為公關公司提供 2003－03－13）