![Intel處理器: Intel預言10年后芯片時鐘將達250THz](http://big5.thethirdmedia.com/g2b.aspx/www.thethirdmedia.com/null.gif)
據報道,在IDF上,Intel一名高級官員預測說10年后芯片時鐘將高達250THz:"鎵、砷、銦、銻等金屬材料可能會有助于英特爾將未來芯片的時鐘頻率提高至250Thz或更高的水平。
上周四,英特爾負責技術戰略的主管鮑羅在“英特爾開發商論壇”上公布了在未來十年后將芯片時鐘頻率提高至250THz的計劃。鮑羅說,通過在硅基片上增添多種其它半導體材料,設計人員將能夠控制材料的原子屬性。
他表示,在過去的三十年中,我們一直在減小硅晶體管的尺寸,我們目前已經得到了厚度為4 、5 個原子的晶片,但我們無法取得進一步的突破。為了提高性能,我們需要提高電子的移動能力,應力硅能夠將電子的移動能力提高一倍,但我們在這一方面會得到極限。
鮑羅表示,包括鎵、砷、銦、銻在內的六、七種半導體材料的電子移動能力比硅高,但我們卻不會完全轉向這些材料。他說,我們無法利用它們制造晶圓片,但我們可以在硅晶圓片上“沉積”部分這些材料。我們可以制造出混合型的半導體材料,因為這些元素是可以混合的。
鮑羅指出,這樣的芯片的速度會更快,需要的電壓更低。他說,我們認為硅晶體管的最高時鐘頻率只能達到25THz ,我們能夠獲得比這一速度高10-100倍的晶體管。"
(第三媒體 2006-03-14)