臺灣三家內存芯片廠商茂德、力晶、南亞目前都采用90nm工藝生產內存芯片。但是在三星電子、Hynix等內存芯片廠商紛紛采用更先進工藝的壓力下,這三家臺灣內存芯片廠商均表示,會在明年啟用更為先進的70nm工藝。 茂德表示旗下目前的90nm內存芯片生產技術來自于Hynix,目前月產9k片12寸晶圓,茂德預計在今年第4季度開始70nm工藝試生產工作,預計到明年年底將全面采用70nm工藝,然后轉向60nm工藝的試生產;力晶表示,將在明年和日本廠商Elipda合作,采用70nm工藝生產DRAM內存芯片和NAND閃存產品。
南亞表示,明年年中將在12寸晶圓三廠采用70nm工藝生產標準型DRAM內存芯片,第一階段產品是1GB DDR II內存,甚至有可能是DDR III內存。
(第三媒體 2006-04-17)