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富士通硬盤: 向Tb級存儲密度前進！富士通硬盤新突破 |
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作者：第三媒體
來源：www.TheThirdMedia.com
日期：2006-12-01
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[摘要]
硬盤的存儲容量一直在呈高速發展的趨勢，在這種發展的背后是各家廠商技術的不斷進步。 |
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[正文]
硬盤的存儲容量一直在呈高速發展的趨勢，在這種發展的背后是各家廠商技術的不斷進步。垂直記錄技術現在是業界的最大熱門，而如何讓硬盤容量在垂直記錄技術無法滿足后繼續提升則成了各家廠商研發的重點。全球頭號廠商希捷鐘情于熱輔助磁記錄技術（HAMR，Heat Assisted Magnetic Recording），而富士通的目標則是TAMR（Thermal Assisted Magnetic Recording）。明眼人看的出來，其實它們都是一回事。28號，富士通宣布在這項技術上取得了新的突破。
他們宣稱，開發出了一款能夠定位到100nm以下寫入點的激光器產品。熱輔助磁記錄技術采用了激光作為輔助寫入介質，在寫入時使用激光照射寫入點，利用產生的熱能輔助磁頭寫入，這樣寫入磁頭不需要太強的磁場。數據存儲和讀取的操作則在常溫下進行，由于采用了高矯頑力的記錄介質，磁盤的存儲密度和數據的穩定性都將大幅度提高。
熱輔助磁記錄技術采用的激光是一個難題，如果要達到1Tbit/平方英寸的存儲密度，那么每個bit所占用的面積將是25nm2，這樣小的面積需要相應的細光束，普通激光很難做到。而富士通的新型激光器可以在88nmx60nm的面積上聚焦，并且保持17%的光學效率。富士通宣稱，這是業界第一款可以做到100nm以下定位的多層光學元件。
富士通在日本舉行的光學存儲技術座談會上對這一光學元件作了展示，至此，其已經掌握了熱輔助磁記錄技術的所有關鍵元件，可以發力向Tb/in2的存儲密度進軍了。 (2006-12-01)
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