據12月12日國外報道，IBM、宏旺與奇夢達三家公司的研究小組已經在計算機存儲技術上取得了重大突破，這將能夠幫助開發更加先進、更加可靠的MP3播放器、數碼相機以及其它電子產品。來自IBM、宏旺和奇夢達的科學家們表示，他們已經研究出一種能夠制造“相變”存儲器的材料，“相變”存儲器的存儲速度要比現在廣泛使用的閃存存儲器高出500-1000倍，同時耗電量僅為閃存存儲器的一半左右。IBM負責納米科學高級經理斯佩克·納拉亞恩（Narayan）表示：“這種‘相變’存儲器能夠讓你做很多事情，而閃存則無法提供的這些功能。你能夠使用這種存儲器取代硬盤，能夠制造高速電腦，或者能夠在這種存儲器中存放你喜歡的電腦軟件。”斯佩克·納拉亞恩透露，三星和英特爾目前都已經參加到了相變存儲技術的研究開發工作。
對此，業內分析人士認為，如果該技術得以完美利用，其可以在多種設備上實現應用，包括從電腦服務器到各種消費類電子產品上。 據介紹，相變存儲技術是一種采用了特殊材料作為存儲介質的存儲新工藝，該工藝一改通常靠改變電相位實現存儲目的，而是通過改變存儲材料的內部結構達到存儲目的，其潛在性能優于普通的閃存工藝，所優點包括：提供了更快的讀寫速度，具有反復使用功能，以及向單個存儲地址寫入的能力。尤其是相變存儲技術內在的靈活性優于目前正在應用中的其它任何非易失性存儲器技術，決定了該技術具有很強的前瞻性。據旺宏電子資深副總裁盧志遠稱，相變存儲技術在非揮發性存儲的市場中，雖較其它技術具有更佳的微縮效果，但是始終無法證明其微縮的極限，這次旺宏與IBM、奇夢達等研究團隊在試產中證實，僅需要小于100微安（uA，1安=100萬微安）的電流，即可在厚度3納米、寬20納米的GeSb組件上迅速完成相變化，這項研發成果對目前國際半導體技術藍圖未來十年后才會進入2納米的預測，提供了可行性的重要例證，具相當的影響性。
目前，雖然相變存儲技術仍處于研發階段，但因具備高速度、高儲存密度、非揮發性等特性，所以被視為兼具閃存及DRAM功能的全面性存儲。全球主要存儲廠當前除了旺宏與IBM、奇夢達等合作PCM研發外，臺灣其他DRAM廠力晶、南亞科、茂德、華邦等，也與當地相關部門共同出資投入相變存儲技術的研發。
(第三媒體 2006－12－12)