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安森美半導體: 安森美半導體憑借最簡單便攜產品充電法獲獎

上傳:kokileu     來源:信息存儲服務     日期:2008-03-27

[摘要]  
   2008年3月26日 - 全球領先的高能效電源管理解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)宣布公司的NUS3116充電和電源開關解決方案因其最簡單的便攜產品充電方法獲得EN-Genius Network頒發的“年度產品”獎。
 
[正文]    

   2008年3月26日 - 全球領先的高能效電源管理解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)宣布公司的NUS3116充電和電源開關解決方案因其最簡單的便攜產品充電方法獲得EN-Genius Network頒發的“年度產品”獎。

安森美半導體: 安森美半導體憑借最簡單便攜產品充電法獲獎

   NUS3116是主開關功率MOSFET和雙充電雙極結型晶體管(BJT),將主電池開關、墻式充電開關和USB充電開關元件集成到單個元件中,優化充電性能,并節省手持電子設備電路板上彌足珍貴的空間。

   EN-Genius Network出版人兼總編輯Paul McGoldrick說:“我們從EN-Genius在2007年評審的數百款產品中甄選出安森美半導體的NUS3116,因為這器件為便攜充電應用提供了簡單及高性價比的解決方案。”
 
   關于NUS3116
   NUS3116集成了主電源開關-12 伏(V)、-6.2安培(A) μCool?單P溝道MOSFET ,處理主電池開關功能,還集成了兩個內置低飽和PNP晶體管,處理兩個通道充電元件。主開關MOSFET具有40毫歐(m?)的最大導通阻抗RDS(ON),將便攜電子產品電池工作期間的功率損耗降到最低。兩個低Vce(sat)晶體管為高達2 A的充電電流提供良好的熱性能,且在充電結束時的Vce壓降低于240毫伏(mV)。

   NUS3116采用DFN-8封裝,僅占用9平方毫米(mm2)的電路板空間,與通常使用三顆TSOP-6封裝、需要互連空間的業界解決方案相比,節省了超過20 mm2的板空間。DFN-8封裝的高度僅為0.8 mm,使該器件適用于極小外形的便攜電子產品設計。采用 NUS3116 集成器件更可降低電路板布線的復雜性。NUS3116每3,000片的批量單價為0.80美元。

   關于EN-Genius Network的“年度產品”獎
   EN-Genius Network于2003年設立“年度產品”獎。這些獎項嘉許卓越的新推產品,從涵蓋的技術范圍,到表彰它們強大的技術優勢、創新的設計和非凡的可銷售性的產品。此獎項總計挑選29種不同產品,類別涵蓋數據采集、音/視頻技術、綠色技術、綠色電源工程、DSP、無線、連接、網絡、無源、低功率和大功率等。

   關于安森美半導體(ON Semiconductor)
   安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)擁有跨越全球的物流網絡和強大的產品系列,是電源、汽車、通信、計算機、消費產品、醫療、工業、手機和軍事/航空等市場客戶之首選高能效電源解決方案供應商。公司廣泛的產品系列包括電源、模擬、數字信號處理器(DSP)、混合信號、先進邏輯、時鐘管理和標準元器件。公司的全球總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯,并在北美、歐洲和亞太地區等關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處和設計中心的業務網絡。

   (新聞稿 2008-03-27)


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