據報道:三星電子已開始量產高性能128Gb 3bit MLC閃存,該閃存也是目前儲存半導體中容量最大的產品,也是業內最高水平的高性能閃存,這將進一步鞏固自身在eMMC,SSD等業內的陣營地位,加大在存儲器市場上的競爭力。
據介紹,三星128Gb 3bit MLC閃存基于10nm級工藝,采用Toggle DDR 2.0高速用戶界面,這不僅確保擴大128GB SSD市場,同時也將有望全面擴大大容量SSD市場,推進SSD大眾化;據稱,未來三星還將適時推出新一代更高品質的存儲產品,積極應對客戶日益增長的存儲需求。
2010年,三星電子首次量產20nm級64Gb 3bit M LC閃存,2012年9月推出840 SSD系列產品,大幅擴大了250GB以上的大容量SSD市場,并加快了大容量存儲市場從20nm級64Gb MLC升級到64Gb 3bit的進程。2012年11月初,三星電子開始量產10nm級超高速64Gb MLC閃存。
(第三媒體 2013-04-12)