據報道:SK海力士新推出了超高速存儲器(HBM),據稱數據處理速度是目前最高性能處理器速度的4倍,同時電力消耗減少40%,該存儲器會率先用在圖形處理的半導體,未來還會面向超級計算機、網絡、服務器等產品。
據介紹,這款超高速存儲器采用TSV硅通孔技術(Through -Silicon-Via)。該技術是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通,來實現芯片之間互連,據稱速度是當今速度最快的DRAM(GDDR5)的4倍以上。
(第三媒體 2013-12-31)
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