據悉,近日東芝稱,它將于明年在NAND閃存芯片上采用52nm技術,將閃存芯片的讀取速度從現在的6MB/s,大幅提升一倍,達到12MB/s。而目前,東芝的絕大多數閃存芯片產品,都是采用90nm生產工藝,而首批52nm芯片的存儲容量將會達到2GB。
TOSHIBA的NAND型FLASH閃存芯片,型號TC58512FT
眾所周知,隨著Apple iPod閃存MP3播放器新品的上市,其驚人的銷量也帶來了NAND閃存需求量的猛增,Hynix等公司都已經開始增產,東芝公司也在競爭的壓力之下,宣布要提升產能,以努力保住現有的市場份額。
據稱,目前在全球閃存供應商中,Gartner數據顯示居于首位的是韓國三星電子,東芝是全球第二大閃存供應商,而Hynix則有能在2005年底居于全球第三位閃存供應商。(第三媒體 2005-11-22)