新品：映泰TH55 XE 799主板
報價：799元
作為集成了GPU顯示核心的全新一代Clarkdale平臺H55芯片組首片主板――映泰TH55 XE，已經搶灘全國各大IT賣場，這也是目前唯一在市場上能找到的H55主板。此次映泰TH55 XE主板主板以一貫的全板型設計搭配黑色PCB底板，盡顯專業本色；平臺搭載H55芯片組，提供英特爾32nm Clarkdale Core i5/i3/Pentium 45/32 nm系列處理器支持；7相加強型供電設計，搭配低阻抗純鐵芯全封閉電感及日本化工PSE長壽型固態電容，配合奢華的量子芯供電芯片應用，保證供電的精準以及高純凈度，同時有效降低超頻發熱量，提升極限供電能力以及效率，超頻能力更強。所以可以肯定的是映泰正以更好更快更省電的產品優勢及高端形象展現在人們面前。
映泰TH55 XE主板量子芯供電技術核心元件為量子芯供電芯片，采用高純度硅片、昂貴稀有金屬，以最新納米技術制程制造，精密程度不亞于CPU芯片;量子芯為銅外殼包裝，全新的貼片工藝焊盤，發熱量低，工作壽命為普通供電MOS管10倍以上，并且芯片節能與普通的芯片可達到8倍的優勢。量子芯專用于高端服務器、筆記本等，德國英飛凌科技精密芯片也獲授權采用這種專利技術。一對量子芯供電能力相當于5顆普通MOS管。
1、 雙面散熱銅外殼
量子芯硅片被裝入銅外殼，封裝的底部是經特殊設計的芯片，直接焊到PCB板的表貼焊盤，銅外殼結構提供高效的雙面散熱。
2、 散熱效率快2.5倍
量子芯采用獨有的結構和用料，從封裝頂部散掉的熱量是普通SO8 MOS的兩倍半，有效的頂部散熱意味器件散發出的熱量可以被帶離線路板，增加元器件安全工作的電流值。
3、廢熱損耗減少8倍，節能8倍
普通的MOSFET使用引線鍵合來實現硅片和管腳框架之間的電連接，而量子芯，將接觸面的數目和傳導路徑的長度減到最小從而減小了傳導損耗。獨特的封裝提供了最優良的封裝阻抗，僅為普通MOS損耗1/8左右,減少廢熱產生,節省8倍損耗電量。
4、供電性能1個頂2.5個
滿足極限超頻供電18A高電流需要，用最好的單面散熱的SO8封裝MOSFET，每相要用五只，采用雙面散熱的量子芯供電芯片貼片MOS管只需兩只就可以輕松滿足。
作為超節能II代的核心技術，量子芯供電技術提供了比普通供電技術更好、更快、更為省電的效能，讓TH55 XE在新平臺產品中脫穎而出，優勢和特色非常明顯，結合Intel最新集成GMA HD顯卡的Clarkdale各款處理器，完全可以輕松應對新Socket1156平臺極限超頻、高清應用和游戲娛樂等需求。
(新聞稿 2009-12-29)
