全球電源管理技術領袖國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日推出采用高性能有源ORing電路的IR5001S通用高速控制器—N溝道功率MOSFET驅動器。
這款有源ORing集成電路采用SO-8封裝，配合外置MOSFET一起使用，可取代傳統的二極管ORing，既能顯著提升效率，又可降低功耗。許多高端系統，諸如運營商級通信設備、電信和數據通信系統服務器等，需要不間斷運行，而有源ORing正好可以滿足他們的需要。
IR中國及香港銷售總監嚴國富表示：“與典型的肖特基二極管ORing電路相比，采用IR5001S有源ORing IC和一個優化的外置MOSFET的系統，能在特定的功率水平降低板上功耗達85％以上，體積也將減小一半以上。采用肖特基二極管的ORing 電路在相同的功率水平運行時會產生更多的熱量，因此在很多情況下都需要有散熱的通孔式器件，結果使整套方案的外型更為笨重，制作過程也更加復雜。”
IR5001S還可以提供附加的“診斷”功能，有助于延長系統的運行時間，提升服務質量，為客戶創造更多的價值。
有源ORing把兩個以上的電源結合形成冗余電源，以便在其中一個輸入電源發生故障時保留輸入電源。當一個輸入電源發生故障時，有源ORing 電路會迅速切斷非運行的電源，以防止系統總線電壓發生故障，同時避免產生較大峰值的逆向電流。
IR5001S有源ORing控制器IC廣泛適用于各種有源ORing電路，包括運營商級通信設備的-48V/-24V輸入有源ORing、用于冗余AC-DC整流器的24V/48V輸出有源ORing、用于多路輸出DC-DC及AC-DC電源的12V輸出有源ORing，以及低電壓輸出的冗余VRM DC-DC處理器電源。
在12V輸出的系統中，只需并聯4個IRF6609 DirectFET MOSFET，便可組成能處理100A電流的ORing電路。IR5001S還可以用于48V/24V系統的反向極性應用，取代大型的D2Pak二極管和昂貴的繼電器。
如果把IR5001S與100V的IRF6655 DirectFET MOSFET配合使用，可以提供30W到60W功率級的板上電源。采用小罐式封裝的IRF6655比采用SO-8封裝的體積減少一半，更適合功率較低的應用系統。采用中罐式封裝的100W IRF6644 DirectFET MOSFET適用于功率較高的應用，能提供250W到300W功率級的板上電源，而且無需使用多個并聯的SO-8器件或體積更大的獨立封裝器件。
如果加入簡單的電荷泵電路，IR5001S可加裝在-48V系統的接地ORing端，以符合“先進電信計算架構”（ATCA）的規范。
新產品采用輸入終端（INN和INP）來測量外置MOSFET的漏極和源極之間的不同電壓和極性，從而確定輸出電壓。IC的輸出電壓（Vout）能驅動外置MOSFET柵極。
如果電流極性反向，該IC會將Vout引腳拉低，使有源ORing MOSFET迅速關斷。IR5001S的典型關斷延遲為130納秒，場效應管的典型關斷時間則為20納秒，其速度是業界最快的器件的兩倍，可有效地將冗余總線電壓驟降到最低值。通常，反向極性保護電路安裝在系統機架或控制臺，而非電路板上。不過，由于IR這套方案體積小巧，該電路可以貼裝在電路板上，大大簡化了系統設計。
IR5001S IC的診斷引腳（場效應管檢查引腳FETch及場效應管狀態引腳FETst）能確定有源ORing電路的狀態。這對于需要保證長時間可靠運行的系統非常重要。每當一個邏輯信號發送到場效應管檢查引腳時，IR5001S的輸出（Vout）或MOSFET的柵極驅動便會拉低，使MOSFET關斷。
在這個瞬間關斷周期中，隨著電流由MOSFET溝道轉移到體漏極二極管，MOSFET漏極到源極的電壓會因此上升。如果電壓由低于100mV上升到700mV（體漏極二極管的預期值），MOSFET可以保持正常運行，但是如果電壓上升到不足300mV的臨界值，MOSFET便會短路。場效應管的狀態引腳就會向系統發出輸出信號，這取決于外置MOSFET的狀態。這個特性可對有源ORing電路進行系統級的監測，有助于預先制定維護程序，避免意外系統停機造成的不便。
非對稱偏置電壓能避免在輕載時發生輸出振蕩，提高可靠性。IR5001S能以36V到75V的通用電信總線電壓（最大100V），或外置偏壓及設計靈活的偏壓電阻供電。IR5001S還可以防止持續性的柵極短路現象，以及輸入引腳上100V以上的持續電壓，實現可靠運行。
IR5001現已供貨，每一萬片訂貨量的單價為0.67美元。價格可能會有變動，產品相關數據或詳情請瀏覽IR網站：www.irf.com，基本規格如下：
產品編號
Vin
Vcc
場效應管關斷延遲
場效應管關斷時間
UVLO Vcc（on）
場效應管狀態檢測
關斷柵極驅動
封裝
IR5001S
5V到100V
最大15V
典型130納秒
典型20納秒
8.3到10.9
有
3A峰值
SO-8
（新聞稿 博達公關提供 2005-04-13）