創見資訊(Transcend)領先業界推出最高容量2GB DDR2-533/667 Fully Buffered DIMM(FB-DIMM)內存。本產品特別針對Intel 新世代高階服務器及計算機系統設計制造而成，此內存最大特色在于速度快及穩定性高。FB-DIMM采用先進平行架構，除了能大幅提升整體效能外，內存容量也突破以往的限制，高度只有1.2英吋，可安裝于1U服務器或是任何有高度限制之高階計算機系統，支持采用Intel新世代高階服務器芯片組(5000P/V/X)之計算機平臺。
FB-DIMM內存可使用于搭配Intel雙核心高階服務器處理器及芯片組之平臺，效能比起市面上標準DDR2服務器系統有明顯的提升，加上高穩定性及可靠度，FB-DIMM將成為未來高階服務器的標準配備。創見2GB DDR2-533/667 FB-DIMM內存采用先進FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封裝制造之128Mx4顆粒，加上嚴選之散熱片，能提供絕佳的散熱性能和更好的電氣特性，以確保運作質量；本內存采用十層PCB電路板，遵從JEDEC（the Joint Electron Device Engineering Council）的規范，能適用于嚴苛的工作環境，減少噪聲擾亂，大幅提升系統的整體效能。
創見累積十數年之硬件設計與內存生產經驗，采用專業、高質量內存顆粒，透過嚴格的加工制造程序，在布線路徑、走線長度及電氣特性設計均遵循極為嚴格的條件規范，并將噪聲的干擾降至最低程度，大大提升整體系統使用上的穩定性，使系統運作更加的順暢。100%的出廠嚴格測試，終身質保的優質售后服務，創見是您購買內存的最好選擇。
產品特色
· Fully-Buffered DIMM內存模塊
· AMB(Advanced Memory Buffer)
· 散熱片
· 符合JEDEC標準
· 高穩定性及可靠度
· FBGA封裝提供更佳的散熱性能和更好的電氣特性
· 支援MemBIST(for testing SDRAMS)
· 十層電路板
· 終身質保
訂購信息
創見料號 容量 產品描述 備注
TS256MFB72V6K-T 2GB DDR2-667 Fully Buffered DIMM 內存模塊，板高1.2英吋
TS256MFB72V5K-T 2GB DDR2-533 Fully Buffered DIMM 內存模塊，板高1.2英吋
TS128MFB72V6J-T 1GB DDR2-667 Fully Buffered DIMM 內存模塊，板高1.2英吋
TS128MFB72V5J-T 1GB DDR2-533 Fully Buffered DIMM 內存模塊，板高1.2英吋
TS64MFB72V6J-T 512MB DDR2-667 Fully Buffered DIMM 內存模塊，板高1.2英吋
TS64MFB72V5J-T 512MB DDR2-533 Fully Buffered DIMM 內存模塊，板高1.2英吋
（新聞稿 2006-06-20）