Hynix Semiconductor宣布已經研發出一款512Mbit移動DDR SDRAM，時鐘頻率185MHz，并支持ECC（錯誤糾正代碼）功能。這款SDRAM設計用于移動設備，采用80nm工藝生產。
Hynix聲稱這款SDRAM的數據吞吐量達到1.5Gb/s，并支持32位I/O。ECC功能允許延長刷新間隔，從而降低功耗近50%。512Mb ECC mobile DDR還提供了許多傳統的低功耗功能，以適應各種移動應用。這些功能包括降低工作電壓，溫度補償自刷新（TCSR），局部自刷新（PASR），以及深度休眠模式（DPD）。
Hynix表示，這款SDRAM的量產預計在2007年下半年開始，而樣品將在今年Q3早期推出。Hynix還計劃將512Mb ECC mobile DDR和NAND閃存組合起來，以多芯片封裝（MCP）或層疊（POP）堆棧形式提供。
