三星閃存: 三星電子量產51nm工藝的16Gbit NAND閃存

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	三星閃存: 三星電子量產51nm工藝的16Gbit NAND閃存
	作者：第三媒體來源：www.TheThirdMedia.com 日期：2007-05-09


		[摘要] 據消息報導，韓國三星電子已經開始量產采用51nm工藝的16Gbit NAND閃存。該公司此前已從2007年3月開始量產采用51nm工藝的8Gbit NAND閃存。
		[正文] 據消息報導，韓國三星電子已經開始量產采用51nm工藝的16Gbit NAND閃存。該公司此前已從2007年3月開始量產采用51nm工藝的8Gbit NAND閃存。據悉，51nm產品以4KB為基本單位進行數據處理，與60nm產品相比，可將讀取/寫入速度提高至約2倍左右，彌補了原有MLC NAND閃存難以實現的高速讀取的缺陷。其在生產效率方面，51nm產品較60nm產品可提高60％左右。（第三媒體 2007-05-09）

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