三星TSV WSP DRAM技術示意圖
IBM日前宣布“穿透硅通道”(TSV)技術取得重大突破，很快就能提供商用的堆疊式“3D”處理器芯片；現在，三星率先將這一技術用在了DRAM內存領域，開發出了全球首款堆疊式“3D”內存芯片，內存條的容量也將因此大大增加。
與Intel、IBM的TSV技術類似，三星也是將多塊芯片堆疊在一起，然后在硅片上鉆出微小的孔洞，并以銅材料填充。現有的一般性多芯片堆疊技術通常需要線路來連接多個芯片，在堆疊芯片外部也有導線相連，而TSV就不用這些額外的線路，因而封裝厚度更薄、體積更小，印刷電路板的制作也更簡單。
4GB的三星TSV WSP DRAM內存條
三星的這種“晶圓級堆疊封裝”(WSP)內存芯片由4個512Mb DDR2芯片組成，總容量2Gb，因此如果用來生產DDR2 DIMM內存條，就可以得到4GB的容量——雙面、16顆芯片。雖然現在已經有了8GB的DDR2內存條，但使用WSP和TSV技術的產品前景無疑更為廣闊。
三星還特別指出，WSP DRAM內存芯片中的TSV周圍環繞著鋁襯墊，目的是“避免重分布層導致的性能下降效應”。三星相信，這種獨特的新技術不但可以給未來的DDR3內存帶來1.6Gb/s的更高速度，還能有效降低內存的功耗。
三星沒有透露何時將這種TSV WSP DRAM內存產品投放市場。IBM計劃今年底提供TSV通信芯片樣品，明年開始商業性投產。
（2007-04-24）