據消息報道,近期三星宣布業內首款基于60nm工藝的2Gb DDR2 DRAM顆粒將在年底投產,隨著這種顆粒的誕生,未來三星的整個DDR2芯片產品線都將轉入60nm,容量從512Mb到2Gb不等。
60nm工藝的2Gb DDR2 DRAM顆粒同目前主流的80nm工藝2Gb DDR2顆粒相比,60nm 2Gb DDR2在800MHz頻率下的性能可以提升20%,而其節電能力將提升40%,目前2Gb DDR2的顆粒可以組成4-Rank 8GB內存模組。
(第三媒體 2007-09-29)
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