三星閃存: 容量達8GB 三星研發出30nm工藝閃存芯片

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	三星閃存: 容量達8GB 三星研發出30nm工藝閃存芯片
	作者：第三媒體來源：www.TheThirdMedia.com 日期：2007-10-24


		[摘要] 三星電子近日研發成功了全球首款8GB容量的MCL NAND閃存芯片，并開創性地使用了30nm工藝。不過在欣喜之余，三星又表示這種創新性的芯片要到2009年才會投產，屆時大容量的存儲卡將成為現實。
		[正文] 　據消息報道，三星電子近日研發成功了全球首款8GB容量的MCL NAND閃存芯片，并開創性地使用了30nm工藝。不過在欣喜之余，三星又表示這種創新性的芯片要到2009年才會投產，屆時大容量的存儲卡將成為現實。據悉，為了將生產工藝改進到30nm，三星應用了新的“自對準雙曝光技術”(SaDPT)，融自對準技術和193nm波長光源ArF兩次曝光技術于一身。（第三媒體 2007-10-24）

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