據消息報導,三星1G bit DDR2內存芯片產品目前已經獲得intel官方認證,允許工作于intel當前以及下一代800M bps支持芯片組系統平臺,其采用的是最新的50納米制程技術制造的1G bit存儲密度版本DDR2內存芯片產品。
Intel早在2007年三月份的時候就已經通過對三星60納米芯片制程技術的認證,三星方面強調將會在今年開始進入60納米芯片量產階段,50納米量產進程將會在2008年展開,而其他公司目前仍然還在采用60納米,70納米和80納米制程技術。三星電子推出的50納米DRAM制程技術,還將應用于下一代DRAM芯片制造技術中,包括DDR3,DDR4,DDR5,甚至包括最新的mobile DRAM芯片。
三星自2006年10月份開始開發完成50納米級別的1G bit DDR2 DARM芯片制造技術,而目前還沒有其他內存芯片廠掌握相似制造技術。三星電子提供的50納米制程1G bit DDR2 DRAM芯片存儲密度是當前80納米制程技術的兩倍,并且在產能效率方面也要比當前60納米制程技術提高50%。
基于windows vista平臺的PC產品預計在今年下半年在企業級用戶方面的增長將會比較迅速,三星電子則表示PC市場預計會從512M bit芯片出貨主力轉移到1G bti DRAM領域,并且會在今年晚些時候從DDR2逐步轉移到DDR3,因此高容量的內存需求量也將會有非常明顯的提升。
(第三媒體 2007-07-20)