三星閃存: 突破極限三星推出30nm 64Gbit NAND閃存

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	三星閃存: 突破極限三星推出30nm 64Gbit NAND閃存
	作者：第三媒體來源：www.TheThirdMedia.com 日期：2007-11-02


		[摘要] 韓國三星電子成功開發出了30nm工藝64Gbit NAND型閃存，這是業界目前線間距最小、容量最大的NAND型閃存。
		[正文] 據消息報道，韓國三星電子成功開發出了30nm工藝64Gbit NAND型閃存，這是業界目前線間距最小、容量最大的NAND型閃存。它是以2006年采用40nm工藝制造32GGbit NAND型閃存的“CTF”技術為基礎，追加三星獨創DPT技術“SaDPT（self-aligned DPT）”，以及設計、元件、布局等最尖端半導體技術實現的。據悉，此次三星通過將電荷保存于絕緣體而非導體上，來最大限度地抑制單元間的信息干擾，突破了50nm工藝極限的大關。（第三媒體 2007-11-02）

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