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美光科技: Egenera采用美光的內存模塊降低服務器功耗

上傳:azslvtao     來源:信息存儲服務     日期:2008-05-15

[摘要]  
   美光科技有限公司(Micron Technology, Inc.,紐約證券交易所:MU)今天宣布,Egenera公司(美國捷易技術有限公司,Egenera Inc.)在其Egenera® BladeFrame®平臺設計方案中采用了美光的Aspen Memory系列節能產品,以降低數據中心的功耗。
 
[正文]    

   美光科技有限公司(Micron Technology, Inc.,紐約證券交易所:MU)今天宣布,Egenera公司(美國捷易技術有限公司,Egenera Inc.)在其Egenera® BladeFrame®平臺設計方案中采用了美光的Aspen Memory系列節能產品,以降低數據中心的功耗。Egenera公司是基礎設施虛擬化解決方案領域的全球領先企業。由于在其平臺中采用了美光1Gb型1.5伏DDR2 Aspen Memory內存模塊,Egenera公司降低了服務器內存功耗,降幅最高可達17%。

   首席信息官和IT主管想要創建更節能的數據中心服務器,有三個主要原因:他們的電源基礎設施,已經達到或即將達到最大容量;他們受到更嚴格的檢查,需要縮小“碳足跡”;他們的電費激增。數據中心要想減少功耗,有一個辦法就是部署虛擬化軟件,這種軟件能夠減少數據中心的實物服務器的總數。但是,虛擬化給余下的硬件提出了更高的要求,尤其是內存,它決定了用戶在硬件平臺上運行時的虛擬環境的規模大小。

   Egenera公司高級產品經理Dick Csaplar說,“內存更大的話,一切都會運行地更好。但是,如果我們為系統添加更多內存,來提高性能,功耗就會增加。因此,我們希望能夠充分利用美光的低壓Aspen Memory產品的優勢。”

   BladeFrame系統特別采用了Egenera公司的處理域網絡(Processing Area Network,PAN)專利架構,這種架構將無連接狀態、無磁盤的處理刀片(Processing Blade™,簡稱pBlade)和Egenera® PAN Manager™虛擬化軟件結合起來,借助高可用性的靈活基礎設施顯著簡化數據中心。與其他許多刀片式服務器不同,Egenera pBlade™模塊只包含處理器和內存,這樣一來,消費者就能搭建擴展性好、形式靈活的環境。為了保持低功率,Egenera公司以Intel®的Xeon™ x86微處理器技術為基礎,在其雙處理器pBlade模塊配置設計方案中,使用了美光1Gb型低壓DDR2 Aspen Memory內存模塊。Egenera公司的pBlade模塊內存配置提供4GB(吉字節)到96GB的內存容量,放置在1U機架之中。

   Csaplar接著說,“我們正在把所有基于FD-DIMM的服務器刀片過渡到美光的低功率內存,讓這種內存成為我們各種系統的標準配置。”

   不要忘記內存——面向數據中心服務器的節能內存設計方案

   美光公司高級營銷總監Bill Lauer說,“在全球范圍,隨著銀行、購物和科學研究信息的網絡化和數字化進程不斷推進,技術的需求也不斷提高。內存總要消耗功率,而且在當今的服務器系統中,內存以指數速率增長。對于內存技術來說,節能設計的發展驅動力達到前所未有的高度。”

   據估計,目前的數據中心服務器系統之中,內存要消耗近15%的電量,而隨著虛擬化和多核數據處理器對內存需求的增加,預計這一數字還會提高。美光的Aspen Memory系列節能內存產品旨在降低數據中心服務器的功耗。數據中心部署美光的Aspen Memory產品之后,最高能夠降低60%的內存功耗。

   下一代DDR3內存的標準工作電壓是1.5伏,DDR2內存的標準工作電壓是1.8伏。有了美光Aspen Memory系列節能內存模塊,不論服務器制造商愿意使用低電壓的主流DDR2內存還是下一代DDR3內存,他們都有更大的余地,來選擇滿足其設計需求的最佳內存解決方案。美光的Aspen Memory產品組合包括:

   ——1.35伏DDR3服務器內存模塊(帶寄存器的雙列直插內存模塊,registered DIMM),采用1Gb芯片,密度最高可達4GB。與1Gb型1.5伏DDR3標準內存模塊相比,美光的低壓DDR3 Aspen Memory產品消耗的功率要少21%。美光公司目前開始接受低壓DDR3服務器內存模塊的樣品訂單,該模塊預計于2008年第四季度投入量產。

   ——1.5伏DDR2服務器內存模塊(全緩沖雙列直插內存模塊,fully-buffered DIMM),采用2Gb型芯片時,密度最高可達8GB;采用1Gb型芯片時,密度最高可達4GB。與1Gb型8GB容量、1.8伏標準DDR2內存模塊相比,美光的2Gb型DDR2 Aspen Memory內存模塊能耗降低了58%;這得益于電壓的降低,另外,更高密度的組件也降低了新產品的總功率。與1Gb型4GB容量、1.8伏標準型DDR2內存相比,美光的1Gb型DDR2 Aspen Memory內存模塊能耗降低了20%。美光公司目前提供2Gb型DDR2服務器內存模塊試用產品,預計2008年第三季度投入量產。美光的1Gb型1.5伏DDR2 Aspen Memory內存模塊現已應用于量產的數據中心服務器系統設計方案之中。

   關于美光Aspen Memory節能系列產品的詳細信息,包括白皮書、案例研究和技術實施說明,請查閱網站:www.micron.com/aspen。此外,歡迎使用美光的數據中心內存功率計算器,估算美光Aspen Memory內存模塊的成本優勢,網址為:www.serverenergysaver.com。

   關于美光公司

   美光科技有限公司(Micron Technology, Inc.)是高級半導體解決方案的全球領先供應商之一。通過全球化的運營,美光公司制造并向市場推出DRAM、NAND閃存、CMOS圖像傳感器、其它半導體組件以及存儲器模塊,用于前沿計算、消費品、網絡和移動便攜產品。美光公司普通股代碼為MU,在紐約證券交易所交易(NYSE)。如需了解美光科技有限公司的詳細情況,請訪問:www.micron.com。

   本新聞稿包含有關美光公司新款DDR2和DDR3 Aspen Memory內存模塊的生產的前瞻性陳述。實際情況或結果可能與這些前瞻性陳述所含內容產生顯著差異。請參考美光公司在并表基礎上不時向美國證券交易委員會呈報的文件,特別是公司最新的10-K表和10-Q表。這些文件含有并明確了可能導致公司在并表基礎上的實際業績與我們的前瞻性陳述中所含內容產生重大差異的重要因素(參見“已知因素”章節)。盡管我們認為前瞻性陳述中反映的期望是合理的,但我們不能對未來業績、活動水平、表現或成績做出保證。本新聞發布日期之后,我們不會為了使前瞻性陳述符合實際結果,而承擔更新任何前瞻性陳述的責任。

   (新聞稿 2008-05-14)


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