據有關消息報道，三星電子近期已經開始聯合閃存控制器設計合作伙伴，試產35nm工藝NAND閃存。此信號標志著閃存的30nm級工藝競賽已經開跑。伴隨工藝的提升，NAND閃存的主流容量也將升至32Gb。據稱，東芝將從7月開始讓NAND閃存生產線馬力全開，而三星很可能也會同樣提高產量。
消息稱，東芝增產的原因主要是為了供應蘋果的iPhone 3GS手機。東芝的3-bit-per-cell技術MLC閃存可在一個存儲單元內保存3bit數據，能夠有效提高存儲容量，降低成本，對三星的閃存霸主地位產生了威脅。早在今年2月，東芝就宣布了32nm 3-bit-per-cell工藝，預計在今年下半年就可以開始批量生產。
（第三媒體 2009-06-25）