美光科技有限公司（紐約證券交易所股票代碼：MU）今天宣布使用其屢獲殊榮的34納米工藝技術大規模生產新型NAND閃存產品。隨著消費者需要更高的容量以便在越來越小的便攜式電子設備中存儲更多的音樂、視頻、照片及應用程序，制造商需要一種存儲解決方案，以實現所需的容量、性能和尺寸。美光的新型16Gb和32Gb的NAND芯片兼具大容量與高性能，為滿足當今苛刻的便攜式存儲需求提供了令人信服的解決方案，該解決方案專門為滿足最終用戶產品尺寸而量身定制。
新設計的32Gb多層單元（MLC）NAND閃存芯片比美光的第一代32Gb芯片小17%。其16Gb的MLC NAND芯片僅僅占用84mm²的面積，以超小型封裝提供高容量。美光現在提供使用34nm工藝的8Gb和16Gb的單層單元（SLC）NAND芯片。
此外，美光旗下的子公司和領先的用于數碼設備的消費類存儲器產品供應商Lexar Media公司，通過提供利用該技術的各種閃存卡和USB閃存盤，充分利用了美光的新型34納米NAND產品。
美光存儲器事業部副總裁Brian Shirley說：“我們業內領先的NAND產品為一些世界上最流行的消費類電子設備開辟了新的可能性。隨著我們新的16Gb和32Gb的NAND芯片的大規模生產，我們將使客戶得以在其小型化的產品中設計具有成本效益、高容量的儲存器，并使用更小的空間和更少的芯片。此外，高速接口也是行業追求繼續增加固態硬盤的吞吐量性能的理想選擇。”
這兩種產品都具有ONFI 2.1同步接口，可提供高達每秒200兆字節（MB/秒）的傳輸速度 。相比之下，傳統的SLC NAND速度僅限40MB/s。有了這一改進的傳輸速度，該接口可提供今天的NAND器件所能提供的最快讀寫吞吐量。隨著固態硬盤（SSD）趨向于采用SATA 6Gb/s接口，該高速NAND接口使制造商能夠設計出可提供兩倍于現有的SATA 3Gb/s解決方案吞吐量的產品。顧客可以期望這種高速接口設計到今后所有的高密度Micron® NAND產品中。