據有關消息報道，三星電子確認，廣為看好的PRAM相變隨機存儲器終于投入了大規模量產，比原計劃的六月份晚了足有一個季度，距離三星首次展示也已經過去了四年多。PRAM是一種非易失性存儲技術，通過切換硫系玻璃的結晶態和非結晶態來代表1和0，進而保存數據，不但可以替代做內存使用的動態存儲DRAM，而且讀寫速度可以達到NOR和NAND閃存的30倍以上，讀寫循環壽命也有至少10倍，因此更適合取代閃存技術。
三星首批PRAM芯片采用60nm工藝制造，容量512Mb(64MB)，可在80毫秒內擦除64千字(KW)，是NOR閃存的10多倍，同時在5MB大小的數據區內數據擦除和重寫速度大約是NOR閃存的大約七倍。三星電子表示，相信PRAM會對手機設計做出非常突出的貢獻，特別是多媒體手機和智能手機。預計它將成為我們在未來的核心存儲產品。
（第三媒體 2009-09-23）