據有關消息報道，各大DRAM廠商都在積極邁向新工藝，日本爾必達卻持續改進65nm工藝，獲得了低成本的1Gb DDR3 DRAM顆粒。在進軍50nm、40nm工藝的同時，爾必達還利用現有的氟化氬(ArF)干掃描機設備，在2008年研發了65nm S工藝(Shrink)，如今又有了65nm XS工藝(eXtra Shrink)。65nm XS 1Gb DDR3內存顆粒將于2010年第一季度投入量產，面向PC和服務器領域。
65nm XS可以說是65nm S的二次改進版，集成度更高，芯片面積更小，在同一塊300毫米晶圓上能多切割出大約25％的芯片，因此效率更高、成本更低，和50nm工藝芯片幾乎相當。除此之外，65nm XS還縮短了制造工藝的研發過程，通過對現有設備的再利用降低了制造成本。
（第三媒體 2009-12-18）