據有關消息報道，2Gb DDR3內存顆粒已經成功開發出采用42nm銅制程工藝的DRAM制造技術，42nm工藝2Gb DDR3顆粒將于今年第二季開始出貨樣品，下半年實現量產。該技術是美光和南亞合作推出的，新工藝使用了基于金屬銅的制程技術，相比傳統的鋁制程，銅的延展性和可靠性更好，在更先進工藝中也擁有著成本優勢。
據悉，目前正在開發的下一代3xnm工藝仍將繼續采用銅制程技術。42nm工藝顆粒容量達到2Gb，可以制造最大16GB內存條，使用該工藝打造的DDR3顆粒額定電壓僅為1.35V，低于DDR3標準的1.5V，未來制造出的內存條耗電量有望降低30%。
（第三媒體 2010-02-10）