據有關消息報道，三星宣布已經研發出業界首個用于SD存儲卡的20nm級工藝32Gb NAND閃存芯片，三星表示，新20nm級32Gb NAND閃存芯片日后還將用于高性能存儲卡、智能手機和高端IT應用。
三星表示，和30nm級MLC NAND閃存芯片相比，新研發出的20nm級32Gb閃存芯片產能上可提升50%，基于該芯片的SD卡寫入速度提高30%至10MB/s，讀取速度20MB/s。與此同時，新工藝芯片在采用尖端處理工藝、設計和控制器技術后，耐用性上與30nm級相當。目前，他們也已經開始出貨基于20nm級32Gb NAND閃存芯片的SD存儲卡樣品，新卡的容量在4GB-64GB，預計今年晚些時候實現量產。
（第三媒體 2010-04-20）