科技進步的迅速令人無法想象,當30nm工藝才入主流之時,20nm級工藝卻已悄然登場。三星電子今天宣布開始量產20nm級(20nm-29nm)工藝產品,成為全球首家,此次量產的產品為20nm級3bpc技術64Gb容量的NAND閃存。
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在此之前,今年8月份,Intel美光合資企業已宣布成功研發25nm工藝64Gb 3bpc閃存,預計年底量產。據報道,應用64Gb容量3bpc閃存,可以僅用一顆芯片打造8GB容量U盤或存儲卡。三星這款新產品由于采用了Toggle DDR 1.0規范技術,性能相比30nm級SDR產品有了顯著提升。另外三星還表示,20nm級64Gb容量3bpc閃存的產出率比30nm級32Gb產品高60%,有助于大幅降低成本。
3bpc閃存又稱TLC閃存,每個存儲單元(Cell)可保存3bit數據,高于SLC(1bit)及MLC(2bit),存儲容量大為增加,將應用于閃存盤、存儲卡或其他消費電子設備。因此該產品的量產對USB閃盤和SD卡等產品容量、性能的大幅度提升會起到不小的推動作用。
3bpc/TLC閃存缺點是讀寫壽命較短,通常不會用于固態硬盤,但SandForce公司已經表示其控制器方案可以控制讀寫次數,從而使用低成本的3bpc閃存。
(第三媒體 2010-10-14)