日前，據最新消息報道：日本爾必達宣布研發完成了LPDDR3內存顆粒，該內存顆粒針對下一代移動設備，包括能手機和平板電腦，據稱功耗可比上代LPDDR2減少約25%，預計年底試產，明年下半年量產。
據介紹，爾必達新研發的LPDDR3內存顆粒采用FBGA封裝，基于30nm CMOS制程，運行電壓1.2V，顆粒帶寬32bit，最高速度可達1600Mbps（等效DDR3-1600），內存帶寬可達6.4GB/s，支持采用PoP（Package on Package）堆疊式封裝制造8Gbit或16Gbit顆粒。
（第三媒體 2011－11－25）