據報道:Innodisk日前宣布開始投產iSLC NAND閃存,該閃存在MLC NAND基礎上改進,工作方式更接近SLC NAND,同時擁有SLC NAND級別壽命和MLC NAND級成本兩大特點,主要面向工業應用。
據介紹,Innodisk新款iSLC NAND閃存通過特定的閃存管理算法,把MLC NAND的2-Bit Per Cell重新編程為1-Bit Per Cell,改變了控制器,本質上還是MLC NAND閃存,壽命將30000 P/E,寫入速度約SLC NAND的70%。
(第三媒體 2013-04-01)