不久前著名的內存大商海力士表示,該公司已開始大規模量產16nm工藝的64Gb(8GB) MLC NAND閃存顆粒,這也是當今最先進的閃存制造工藝。實際上今年六月海力士就量產了第一版的16nm NAND閃存,最近投產的則是第二版,芯片尺寸更小,更具競爭力。另外海力士還根據16nm 64Gb閃存的規范和耐久性,成功研發了128Gb(16GB)容量版本,存儲密度世界最高,計劃明年初投入量產。
一般情況下NAND閃存工藝越先進,單元之間的 干擾就越嚴重,但是他們引入了最新的Air-Gap技術來克服這種干擾,主要是將電路之間用于絕緣的基底換成了真空孔。海力士最后表示會繼續努力深入研究TLC NAND、3D NAND閃存技術。
(第三媒體 2013年11月22日)