據最新消息報道：三星電子日前宣布開始量產業內首款基于3DTSV封裝的64GBDDR4RDIMM內存，全新TSV內存模塊高效節能，創新性3DTSV封裝技術更是實現了多層堆疊的裸片之間的垂直互連，主要面向企業級服務器、云計算和數據中心。
據介紹，三星新RDIMM內存基于三星最尖端的20納米級制程技術，采用3D TSV封裝技術，由36個DDR4DRAM芯片組成，每片芯片包含4顆4Gb的DDR4DRAM裸片，據稱采用全新TSV封裝技術的64GB內存模塊速度最高提升一倍，能耗降低約一半。一個3DTSVDDR4DRAM封裝需將DDR4裸片研磨至厚度僅為數十微米，并打出數百個通孔，有源電路直接穿過這些通孔，裸片之間通過有源電路垂直互連。
據稱，三星一直在不斷改善3DTSV技術，今年，三星專為TSV封裝開始運行了一套新的制造系統，用來量產新型服務器用內存模塊。今后，三星有望采用3D TSV技術將DDR4裸片堆疊4層以上，制造出密度更高的內存模塊。
（第三媒體 2014－08－29）