據最新消息報道：今天，三星電子宣布開始量產全球最先進DDR3內存顆粒，采用新20nm工藝，容量為4Gb(512MB)，生產效率比25nm DDR3高出超過30％，同等容量的功耗比25nm DDR3節省最多25％，生產效率更是3xnm DDR3的兩倍多。
據介紹，DRAM內存顆粒每個單元都包含一個電容、一個晶體管，用于連接其它單元，工藝進步比NAND閃存單元更困難。為了改進工藝，三星重新調整設計和制造技術，用了改進的雙重曝光、原子層沉積(ALD)，并同時結合已有的沉浸式ArF光刻等先進技術。全球最先進DDR3內存顆粒的量產為今后1xnm的進步打下了扎實的基礎。
（第三媒體 2014－03－11）
