由于科學技術的飛速發展，電腦硬件技術也隨著這股潮流在不斷的更新、交替。特別是像主板、顯卡、處理器的產品更新及所運用的新技術的發展速度更是驚人。在日益更新的配置平臺上，內存與整個配置平臺的運算性能也相應緊密的聯系，就算消費者在其它硬件上采用最新、最快的產品，如果內存相對滯后,那在軟件、程序的運行中帶來瓶頸也是顯而易見的。隨著技術的進步，內存行業也意識到了內存在技術發展的重要性，為適應以后硬件配置平臺的發展和平穩過渡，內存廠商迅速作出反應推出了采用全新內存架構的DDRII內存。
眾所周知，DDRII是由JEDEC(電子元件工業聯合會)定義的一種全新下一代DDR內存技術標準的名稱。與DDR技術相比，DDRII最大特點是采用4-bit Prefetch技術，該技術可以有效地提升內存帶寬，從而突破運算瓶頸。從目前DDR2內存標準來看，內存廠商針對一般電腦市場的DDRII內存將會推出533MHz、667MHz甚至到800MHz不同時鐘頻率的產品。
與DDR相比，DDRII也有著諸多優勢：首先，DDRII內存擁有4bit的數據預讀取能力，而DDR內存則只有2bit的數據預讀取能力。雖然與DDR一樣，都采用了在時鐘的上升延和下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但是在同等核心頻率下，DDRII擁有兩倍于DDR的數據傳輸率，這樣DDRII內存就擁有更高的預讀系統命令數據能力，并可以簡單地獲得更為完整的數據傳輸能力。其次，DDRII還引入了三項新的技術，它們是OCD、ODT和Post CAS，這樣大大改善了DDR內存在應用和傳輸中存在的諸多不足。
最關鍵的是，在內存的封裝形式上DDRII內存也要大大地優于DDR內存。BGA封裝由于芯片底部的空間較為寬大，可以在保證引腳間距較大的前提下容納更多的引腳，可滿足更密集的信號I/O需要，這對DDRII而言是必須的。此外，BGA封裝還擁有芯片安裝容易、電氣性能更好、信號傳輸延遲低、允許高頻運作、散熱性卓越等許多優點，它成為DDRII官方選擇也在情理之中。
BGA封裝技術的應用，更是為內存的封裝技術升級帶來了一次革命。在DDR時代，由于技術的原因和封裝技術的不同，UTT（Untested，未經測試的DRAM）顆粒在整個DRAM產業發展史中，可以說是從未缺席過，上游廠商在其生產DRAM顆粒的過程中，只要繼續投片下去，便難免會有UTT顆粒出現，這也成為DDR時代內存行業一個事實，而很多小企業基于成本考慮，絕大部份采用傳統的TSOP封裝方式，借助UTT制造了大量的劣質內存產品，讓消費者深受其害。
不過進入DDRII時代后，由于在速度及散熱上的需求，經過DRAM廠、OEM計算機大廠及微處理器大廠英特爾（Intel）討論，認為DDRII必須改采BGA封裝方式，才能讓DDRII顆粒充分顯現出其應有的效能。這也就意味著，在DDRII時代，對于向來習慣采用UTT的生產廠商而言，將會是一大挑戰。原因在于這些生產廠商目前習慣采用的技術，大多還是以TSOP封裝為主，更重要的是，這些生產廠商，從來沒有制造或維修采用BGA封裝方式的DRAM模塊的經驗，一旦有終端市場消費者要求維修時，生產廠商也沒有相應的人才或機器設備可以解決問題，從而也就無法真正為消費者提供優質的產品或者服務。
那么如何理解BGA封裝方式在DDRII產品上的應用呢？在內存制作流程中,主要的環節如下：晶圓切割測試-封裝-顆粒測試-貼片-成品測試-出廠。其中最為關鍵的步驟是內存顆粒的誕生，需要經過前工序、后工序、檢驗、封裝、測試等步驟后才能算是合格的顆粒。前工序將硅晶圓切割成小的芯片，并進行簡單的EDS測試，完成芯片的大部分功能測試；后工序對芯片做I／O（輸入／輸出）設置和保護；檢驗工序對整個芯片做全面的檢測；最后，再對檢驗通過的芯片進行封裝制成內存顆粒，再對顆粒進行測試，完全合格的顆粒才能用來貼片、制作內存成品。也只有通過這種嚴格的考驗所生產出來的DDRII內存，才能保證其性能、穩定性和兼容性。