雖然垂直記錄技術引發硬盤革命的呼聲非常高，但革命之路自然有很多條，富士通實驗室就一直在開發一種新的硬盤技術，以提高硬盤的存儲密度和穩定性。 富士通的工作之一是減小硬盤盤片潤滑層的厚度，而富士通宣稱這一系列新技術有望在2010年將硬盤的存儲密度提高到每平方英寸1Tb。
硬盤驅動器通常有四層：作為基礎的基層、記錄數據的磁性層、保護磁性層免遭侵蝕的保護層、減小讀寫頭和保護層之間摩擦力的潤滑層(當然磁頭并不與保護層實際接觸)。為了提高盤片的存儲密度，保護層必須盡可能的薄，驅動磁頭也需要盡可能地靠近盤片，而隨著保護層的變薄，潤滑層的重要性就更加凸現了，因為失去潤滑層的保護層將無法保持較低的溫度，磁性層也將遭到侵蝕并損壞。
在目前的技術下，潤滑層能做到2nm厚，讀寫磁頭在寫入操作的時候距離5nm厚的保護層則有10nm距離。由于保護層需要一定的空間來維持長期穩定的工作狀態，因此上述數字已經是目前技術的極限。富士通則宣稱其新技術可以減小潤滑層的高度，并將其與保護層“粘貼”在一起，從而將四層硬盤變為三層，讀寫磁頭也能進一步縮短與盤片層之間的距離，最終在提供穩定性的同時提高存儲更多的比特。
根據富士通提供的文件，他們的新技術是通過吸著基將潤滑分子“粘”在一起并減小其分子體積，從而將潤滑層的厚度減小70％之多，并使之與保護層牢牢相連；同時經過波長不到200nm的紫外線的輻射，潤滑層變得像特氟龍一樣可以有效吸收污染物和水份，從而保護整個硬盤。
（第三媒體 2006－04－11）