據報道稱，IBM、Macronix和Qimonda公司將在國際電子器件會議(IEDM)上宣布，其共同開發出一種轉換速度號稱比傳統閃存技術快500多倍的相變內存原型。屆時在IEDM大會上將會有一篇名為《利用GeSb材料的超薄相變橋內存器件》的論文提供更多詳情。 這種新的存儲器材料是一種鍺－銻（GeSb）合金，其中在改進性能方面添加了微量元素來實現。該設備的橫截面大小只有3 x 20納米，寫數據時的功耗只有傳統技術的功耗的一半還要少。22納米甚至更高節點的器件將可以通過這一技術而實現。構成該技術之核心的是一小塊能在一個有序的晶體相位中快速變換的半導體合金。
（第三媒體 2006-12-25）