本周三，在臺北的英特爾開發技術論壇會上，德國英飛凌公司（Infineon）稱，大約一年半后他們將向客戶展示他們的DDR3存儲芯片，同時，他們也表示，希望在即將到來的美國半導體行業標準協會(JEDEX)會議上，能夠聽到三星公司關于DDR3設計構想。
據美國IDG技術信息服務公司報道，英飛凌公司（Infineon）的產品銷售工程師Jessica Chen先生說，德國慕尼黑的存儲芯片供應商可能會在2006年底向客戶展示DDR3樣品。理論上，DDR3的批量生產將在2007年底開始。
英飛凌公司（Infineon）在2003年3月開始對DDR2進行取樣，大約在16個月前，第一款支持該產品的平臺，Intel的915P/G和925X芯片組，開始投入商業交易。通過對比，爾必達(Elpida)和三星在2002年中期開始對DDR2進行測試，幾乎是在兩年以后投入了商業交易。
三星公司稱，在2月中旬他們就已經生產了世界第一塊512MB存儲芯片，符合下一代DDR3的標準，能夠運行在1066MHz下，工作電壓1.5V，數據傳輸率1066Mbps。三星公司表示DDR3存儲芯片將使用80nm的技術工藝。現行的DDR和DDR2使用的是90nm的工藝。
與DDR相比，DDR2不僅有微小結構上的優勢，而且在ODT技術上除了較大的4-bit位寬、累加延遲時間還有增大了存儲量，而DDR3的特點是自行驅動校正和數據同步。
三星引用市場調查公司IDC的話說，第一款DDR3存儲器將在2006年上市，并且占2009年全部市場的65％。
Intel公司在2007年的計劃中包括支持DDR3存儲器的平臺，這樣的計劃可以對芯片制造商安排2007年的生產計劃起到促進作用。然而，一些制造商也為non-PC設備應用程序提供了DDR3的支持，像網絡設備，這比Intel支持臺式機的DDR3計劃還要早。（第三媒體 2005-04-13）